用于集成高Q微谐振器非线性光子学的光子大马士革工艺
光学
2016-02-09 v1
摘要
高限制、集成的氮化硅（SiN）波导近来已成为片上非线性光学器件的有吸引力的平台。具有反常群速度色散（GVD）的高 Q SiN 微谐振器的制造使得宽带非线性光学频率梳生成成为可能。此类频率梳已成功应用于相干通信与超短脉冲生成。然而，从化学计量比、高应力 SiN 可靠制造高限制波导仍然具有挑战性。在此我们提出一种新颖的光子大马士革制造工艺，其利用衬底形貌进行应力控制和薄膜开裂预防。在接近统一的样品良率下，我们制造了波导厚度为 、光学 Q 因子为 的微谐振器，并展示了基于单时空耗散 Kerr 孤子（DKS）的相干光学频率梳生成。我们新开发的工艺对于其他材料平台、光子集成和中红外 Kerr 梳生成也颇具意义。
引用
@article{arxiv.1511.05716,
title = {Photonic Damascene Process for Integrated High-Q Microresonator Based Nonlinear Photonics},
author = {Martin H. P. Pfeiffer and Arne Kordts and Victor Brasch and Michael Zervas and Michael Geiselmann and John D. Jost and Tobias J. Kippenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.05716},
year = {2016}
}
备注
Accepted for publication in Optica