300 nm厚SiN同心跑道形谐振器中的频率梳生成：克服材料色散极限
光学
2017-09-12 v1
摘要
基于克尔非线性的频率梳和孤子已从具有高品质因数和全局或局部反常色散的片上光学微谐振器中生成。然而，此类谐振器的制造通常需要半导体制造设施中非标准的材料和/或工艺。此外，在可见光和紫外等某些频率区间，大的正常材料色散使得实现反常色散极为困难。在此，我们提出了一种同心跑道形谐振器，其在300 nm厚的氮化硅薄膜中实现反常色散（适用于半导体制造，但此前被认为只会产生具有高正常色散的波导）、1.5百万的高本征Q值，以及一种允许生成相干频率梳的新型模式选择性耦合方案。我们还提供了在所生成频率梳中类似孤子脉冲形成的证据。我们的方法几乎可在任意波长下为谐振器在中等宽带宽上实现反常色散，同时保持与高产量半导体制造的材料和工艺兼容性。
引用
@article{arxiv.1607.01850,
title = {Frequency Comb Generation in 300 nm Thick SiN Concentric-Racetrack-Resonators: Overcoming the Material Dispersion Limit},
author = {Sangsik Kim and Kyunghun Han and Cong Wang and Jose A. Jaramillo-Villegas and Xiaoxiao Xue and Chengying Bao and Yi Xuan and Daniel E. Leaird and Andrew M. Weiner and Minghao Qi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.01850},
year = {2017}
}