用于宽带光频梳产生的氘化氮化硅光子器件
光学
2018-05-09 v1
摘要
我们报道并表征了用于非线性集成光子学的低温等离子体沉积氘化氮化硅薄膜。其峰值加工温度低于 300C，因此与预处理过的 CMOS 衬底后端兼容。我们实现了在 1552 nm 处品质因数高达 、并在 = 1510 -- 1600 nm 范围内优于 的微谐振腔，且无需退火或应力管理。随后，我们通过产生 1 THz 自由光谱范围、900 nm 带宽的调制不稳定性微谐振腔 Kerr 梳以及倍频程跨度的超连续谱展宽光谱，展示了该平台在非线性光子学中的直接效用。
引用
@article{arxiv.1802.01006,
title = {Deuterated silicon nitride photonic devices for broadband optical frequency comb generation},
author = {Jeff Chiles and Nima Nader and Daniel D. Hickstein and Su Peng Yu and Travis Crain Briles and David Carlson and Hojoong Jung and Jeffrey M. Shainline and Scott Diddams and Scott B. Papp and Sae Woo Nam and Richard P. Mirin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.01006},
year = {2018}
}