氘化富硅氮化物波导的光学表征
光学
2022-02-22 v1 应用物理
摘要
基于化学气相沉积的生长技术允许灵活设计 CMOS 兼容材料。在此，我们报道了使用等离子体增强化学气相沉积生长的氘化富硅氮化物薄膜。表征了薄膜的线性和非线性性质。我们比较了使用 和 生长的薄膜在 1550nm 波长区域的吸收，并通过实验确认使用 生长的富硅氮化物薄膜消除了 Si-H 相关吸收。进一步表明，在薄膜上制作的波导具有 2.46 的线性折射率和 X 的非线性折射率。
引用
@article{arxiv.2202.10023,
title = {Optical characterization of deuterated silicon-rich nitride waveguides},
author = {Xavier X. Chia and George F. R. Chen and Yanmei Cao and Peng Xing and Doris K. T. Ng and Dawn T. H. Tan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.10023},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 5 figures