通过原子层沉积实现 IV-VI 族氮化物的异质外延
材料科学
2013-11-21 v1
摘要
本文展示了利用原子层沉积技术在各种取向的蓝宝石 (-Al2O3) 上异质外延生长选定的 IV-VI 族氮化物。与常规沉积方法所需温度相比，该方法能在显著更低的温度下制备出高质量的外延薄膜。对外延薄膜电学和超导特性的表征显示，与同时在熔融石英基底上沉积的多晶样品相比，在蓝宝石上沉积的薄膜具有更低的室温电阻率和更高的剩余电阻比 (RRR)。
引用
@article{arxiv.1309.1789,
title = {Heteroepitaxy of Group IV-VI Nitrides by Atomic Layer Deposition},
author = {Jeffrey A. Klug and Nicholas G. Becker and Nickolas R. Groll and Chaoyue Cao and Matthew S. Weimer and Michael J. Pellin and John F. Zasadzinski and Thomas Proslier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1789},
year = {2013}
}
备注
3 figures, 1 table, ~4 pages