由惰性激光剥蚀生长的硼化硅薄膜
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
硼化硅薄膜生长于硅基板上，通过在分子氮气环境下激光剥蚀硼化金属箔。通过Auger (AES)、X射线光电子能谱(XPS)和能量损失(EELS)谱仪确定了薄膜的组成和化学状态。获得的薄膜在可见光区域具有较低的吸收系数，并通过反射椭圆法测得光学带隙为3.8 eV。结果表明，使用该制备方法，硼与氮的反应非常有效，能够制备出高质量薄膜。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103504,
title = {Beryllium nitride thin film grown by reactive laser ablation},
author = {G. Soto and J. A. Diaz and R. Machorro and A. Reyes-Serrato and W. de la Cruz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103504},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 5 figures. Submitted to Materials Letters