RF溅射工艺参数对氮化硅薄膜沉积的影响
应用物理
2017-11-29 v2 材料科学
摘要
本工作的目标是研究用于沉积氮化硅薄膜的RF溅射工艺参数优化。所选变的工艺参数为沉积功率、沉积时长、氩气流速与氮气流速。依据田口L9正交阵列，各参数取三水平变化。分别使用SEM、XRD、轮廓仪、半导体器件分析仪与UV光谱仪测定表面形貌、薄膜组成、镀层厚度、镀层电阻率与折射率。测得薄膜厚度值介于127.8nm至908.3nm之间，沉积速率从1.47nm/min变化至最大值10.1nm/min。薄膜电阻率介于1.53x10^13 ohm-m至7.85x10^13 ohm-m之间。计算得薄膜折射率为1.84至2.08。由结果可见，无氮气流时膜性能趋于变差，而少量通入氮气则趋于改善。此外，SEM图像显示氮化硅为非晶结构，并由XRD图谱证实。
引用
@article{arxiv.1711.09556,
title = {Effect of RF Sputtering Process Parameters on Silicon Nitride Thin Film Deposition},
author = {Sachin S Bharadwaj and GR Rajkumar and B W Shivaraj and M Krishna},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.09556},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 6 figures, 4 tables