射频溅射氧化锌薄膜中载流子浓度与电阻率的系统控制

射频溅射 ZnO 和 Al:ZnO 薄膜是制造光电器件极具吸引力的透明导电氧化物。本文介绍了通过控制沉积参数（射频功率、压力和衬底温度）来调控 ZnO/Al:ZnO 薄膜载流子浓度和迁移率的努力。在 250{\deg}C 的沉积温度下，实现了电阻率低至 $\rho$ = $3.8\times 10^{-4}$ $\Omega$.cm 的 Al:ZnO 薄膜。在 250{\deg}C 的沉积温度下，获得了电阻率为 $\rho$ = $3.7\times 10^{-2}$ $\Omega$.cm、电子迁移率高达 $30$ $\mathrm{cm^{-2}V^{-1}s^{-1}}$ 且具有可接受电子参数稳定性的氧化锌薄膜。研究了在不同衬底温度下沉积于玻璃上的 Al:ZnO 和 ZnO 样品的光透射率。进行了调查以评估沉积温度对溅射在硅和玻璃衬底上的 ZnO/Al:ZnO 光致发光光谱 (PL) 的影响。研究了溅射在硅和玻璃衬底上的 ZnO/Al:ZnO 中带边 (NBE) 和深能级发射 (DLE) 光致发光峰随沉积温度的演变。