具有可控电学特性的原子层沉积氧化锌
材料科学
2013-08-12 v1
摘要
本文展示了在低温条件下通过原子层沉积（ALD）生长的氧化锌薄膜的结果。我们讨论了此类薄膜的电学特性，并表明低温沉积会导致富氧 ZnO 层，其中自由载流子浓度非常低。对于优化的 ALD 工艺，该浓度可达到 10^15 cm-3 水平，而电子迁移率介于 20 至 50 cm2/Vs 之间。在低温条件下通过 ALD 沉积的 ZnO 薄膜的电学参数适用于构建基于 ZnO 的 p-n 结和肖特基结。我们证明，此类结具有足够高的整流比，能够满足 3D 存储器的要求，且其沉积温度为 100degC，使其适用于有机基底上的沉积。
引用
@article{arxiv.1308.2064,
title = {ALD grown zinc oxide with controllable electrical properties},
author = {E. Guziewicz and M. Godlewski and L. Wachnicki and T. A. Krajewski and G. Luka and S. Gieraltowska and R. Jakiela and A. Stonert and W. Lisowski and M. Krawczyk and J. W. Sobczak and A. Jablonski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2064},
year = {2013}
}
备注
29 pages, 9 figures, 64 references, review paper