原子层沉积 ZnO 薄膜中无序驱动的载流子输运
材料科学
2013-01-08 v1
摘要
本文探讨了无序对原子层沉积 ZnO 薄膜载流子输运机制的影响，这是通过在 4.2K 至 300K 温度范围内进行的温度依赖电阻率测量来研究的。薄膜在 (0001) 蓝宝石衬底上生长，衬底温度从 150 到 350 C 不等。研究发现薄膜中的缺陷和结构无序强烈依赖于其生长温度。在 150、300 和 350 C 生长的薄膜在整个电阻率测量温度范围内表现出类半导体特性，这是由于这些薄膜中增强的无序所致。然而，在 200 和 250 C 生长的薄膜中观察到了低温下的金属 - 半导体转变 (MST)。还观察到，与在 200 C 生长的薄膜相比，在 250 C 生长的薄膜具有更高的剩余电阻率，由于该薄膜中无序的增加，其转变温度向更高值移动。通过考虑对 Boltzmann 电导率的量子修正（包括弱局域化效应和与这些薄膜中无序存在相关的库仑电子 - 电子相互作用），很好地解释了转变温度以下电阻率的回升。
引用
@article{arxiv.1301.1172,
title = {Disorder-driven carrier transport in atomic layer deposited ZnO thin films},
author = {D. Saha and Amit. K. Das and R. S. Ajimsha and P. Misra and L. M. Kukreja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1172},
year = {2013}
}