硅掺杂氧化锌薄膜中电导率的量子修正
材料科学
2013-06-04 v2
摘要
采用顺序脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上生长了硅浓度范围为0.4%至10%的硅掺杂氧化锌薄膜。当硅浓度从约0.4%增加到2%时，薄膜的电阻率首先从约6.6×10⁻³ Ω·cm下降到4.7×10⁻⁴ Ω·cm，然后随着硅浓度的进一步增加而增大。薄膜中的电子浓度在3×10¹⁹至4×10²⁰ cm⁻³范围内，表明其简并性质。然而，在300 K至4.2 K范围内的变温电阻率测量显示，对于0.4%、6%和10%硅掺杂的氧化锌薄膜，在整个测量温度范围内电阻率温度系数(TCR)为负值。0.6%、0.9%和2%硅掺杂的薄膜则表现出随温度升高从负TCR到正TCR的转变。在低温和0.5 T磁场下发现的负磁电阻表明弱局域化是负TCR的主要贡献因素。通过考虑由无序诱导的弱局域化效应引起的电导率量子修正，所有薄膜的变温电阻率数据均可获得定量拟合。
引用
@article{arxiv.1303.6443,
title = {Quantum corrections to conductivity in Si doped ZnO thin films},
author = {Amit K. Das and R. S. Ajimsha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.6443},
year = {2013}
}
备注
This paper has been withdrawn by the author due to crucial errors in it