Cu掺杂ZnO薄膜的阻抗与电学性质
材料科学
2017-03-08 v1
摘要
采用旋涂法在导电玻璃基底上制备了Cu掺杂的透明ZnO薄膜。样品随后在空气中于500 °C退火1小时以形成ZnO相。ZnO样品掺杂了不同摩尔百分比（最高5%）的Cu。测量了样品的阻抗和光伏性质。在KI/I2电解液中测量了掺杂与未掺杂样品的光电流和光电压。微量Cu的添加改善了ZnO样品的导电性能，而未改变ZnO的其他基本性质。由于Cu的高导电性，光电流随掺杂浓度逐渐增加。研究仅进行到5%的掺杂浓度，因为更高的掺杂浓度可能会显著影响ZnO的其他性质，如薄膜的透明度。通过将数据拟合到等效电路确定了样品的阻抗。阻抗在Cu浓度为3%时达到最大值。
引用
@article{arxiv.1703.02030,
title = {Impedance and electrical properties of Cu doped ZnO thin films},
author = {P. Samarasekara and Udumbara Wijesinghe and E. N. Jayaweera},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.02030},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 7 figures