可见光下ZnO电输运的变化
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
在室温下，对纯ZnO单晶和薄膜在16Hz < f < 3 MHz频率范围内采集了复阻抗谱数据。ZnO样品的测量阻抗在暴露于或遮挡可见光后随时间发生显著变化。在固定时间点，Cole-Cole图表明存在单一弛豫过程。对阻抗数据的简单分析使我们能够获得两个主要弛豫时间。ZnO晶体和薄膜的行为相似，但薄膜表现出更短的弛豫时间。分析表明存在两种不同的光活性缺陷，其激活能在~0.8 eV至~1.1 eV之间。
引用
@article{arxiv.0910.2692,
title = {Changes in the electrical transport of ZnO under visible light},
author = {S. Dusari and J. Barzola-Quiquia and P. Esquinazi and S. P. Heluani},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2692},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 9 figures. Solid state communications, in press