低能氩辐照在ZnO中引入的可控缺陷
材料科学
2015-05-14 v2 无序系统与神经网络
摘要
我们报道了在1.2 MeV Ar8+离子辐照的ZnO中观察到的有趣现象,据我们所知,这些现象此前尚未发表,并将对从事ZnO研究的科学界有所裨益。初始注量1×10^15 ions/cm^2的辐照使样品颜色从白色变为橙色,而最高注量辐照则使其变为深红棕色,外观呈黑色。这种颜色变化可与氧空位型缺陷相关联。X射线衍射(XRD)线宽展宽显示,辐照样品的晶粒尺寸没有显著变化。扫描电子显微镜(SEM)图像清晰可见,最高注量辐照下因溅射导致的表面粗糙度增加。未辐照样品的室温光致发光(PL)光谱显示出强烈的紫外(UV)发射(~3.27 eV)和不太显著的缺陷能级发射(2-3 eV)。初始辐照注量使整体发射大幅猝灭。但随着注量增加,紫外发射增强,同时伴随显著的缺陷能级发射。值得注意的是,与未辐照样品相比,最高注量辐照样品的电阻率降低了四个数量级。这表明辐照增加了施主浓度及其迁移率。氧空位是ZnO中的深施主,但它们无疑会影响浅施主(可能与锌填隙相关)的稳定性,反之亦然。这与最近的理论计算结果一致。
引用
@article{arxiv.0911.4612,
title = {Controlled defects in ZnO by low energy Ar irradiation},
author = {Soubhik Chattopadhyay and Sreetama Dutta and D. Jana and S. Chattopadhyay and A. Sarkar and P. Kumar and D. Kanjilal and D. K. Mishra and S. K. Ray},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.4612},
year = {2015}
}
备注
total of 34 pages including 8 figures. The manuscript has been submitted to Journal of Applied Physics