Y4Zr3O12中阴离子缺陷与离子束诱导发光的关联
材料科学
2021-08-11 v1
摘要
Zr/Al ODS合金的潜在应用取决于Y4Zr3O12弥散体的辐照稳定性。识别缺陷类型的基础研究对于认识减轻损伤的途径十分重要。在此背景下，开展了利用原位离子发光光谱识别点缺陷及其团簇的研究。在100 keV He+离子辐照期间获取的离子发光光谱显示出两个显著带，位于330 nm和415 nm。利用具有HSE06杂化交换关联泛函的密度泛函理论计算，已确定这些发光带源于带电和中性构型下的本征及辐照诱导氧空位缺陷。
引用
@article{arxiv.2105.10773,
title = {Correlation between anion defects and ion beam induced luminescence in Y4Zr3O12},
author = {Sruthi Mohan and Gurpreet Kaur and Sachin Srivastava and P. Magudapathy and C. David and G. Amarendra},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.10773},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 5 figures