Co掺杂ZnO的GW电子结构计算
材料科学
2020-06-24 v1
摘要
最近，掺杂ZnO样品中钴的3d内壳层发光的point defect（点缺陷）已被确定\cite{pssb2019}。在这项工作中，我们进一步将研究扩展到Co掺杂ZnO中的其他点缺陷。我们使用密度泛函理论和GW计算来确定钴掺杂氧化锌(ZnO)的轨道分辨能带结构。我们表明主要是O-p和Co-d轨道参与该过程，并确认钴原子附近的氧间隙是Co注入ZnO样品中可能出现的缺陷。我们还排除了ZnO中其他常见的点缺陷可能是所观察到的3d内壳层跃迁的原因。最后，我们建议涉及氧间隙的缺陷复合物可用于在钴掺杂ZnO样品中促进铁磁性。
引用
@article{arxiv.1908.04679,
title = {GW electronic structure calculations of Co doped ZnO},
author = {Dennis Franke and Michael Lorke and Thomas Frauenheim and A. L. da Rosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.04679},
year = {2020}
}