GW近似下ZnO中钆配合物的电子结构
材料科学
2018-01-23 v1
摘要
本文研究了本征缺陷的作用，以确定ZnO中Gd配合物的结合能和电子结构。我们使用密度泛函理论和GW方法表明，空位和间隙原子的存在会影响Gd掺杂ZnO的电子结构。然而，Gd-和态的强定域性表明，在该材料中实现载流子介导的铁磁性可能较为困难。
引用
@article{arxiv.1709.09967,
title = {Electronic structure of gadolinium complexes in ZnO in the GW approximation},
author = {A. L. Rosa and Th. Frauenheim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.09967},
year = {2018}
}