A2Zr2O7 (A=Gd, Nd) 陶瓷的电子性质
材料科学
2019-07-05 v2
摘要
采用广义梯度近似的密度泛函理论，研究了通过固相反应合成多晶形式的钆烧绿石 A2Zr2O7 (A=Gd, Nd) 陶瓷的电子结构。通过 X 射线衍射 (XRD) 并对 XRD 图谱进行 Rietveld 分析完成了该化合物的结构表征。将 A2Zr2O7 (A=Gd, Nd) 的 Zr-K 边 X 射线吸收 (XAFS) 谱与用作参考化合物的 Zr 箔的谱图一同分析。采用 A2Zr2O7 (A=Gd, Nd) 的 X 射线光电子能谱 (XPS)、X 射线吸收近边结构 (XANES) 和扩展 X 射线吸收精细结构 (EXAFS) 获取 Zr 局域环境的定量结构信息。利用 UV-Vis 光谱估算带隙。晶体结构为面心立方，空间群为 Fd-3m (No. 227)。本工作中的总能量采用广义梯度近似结合 DFT 加在位排斥 (U) 方法计算。
引用
@article{arxiv.1907.00414,
title = {Electronic properties of A2Zr2O7 (A= Gd, Nd) ceramic},
author = {Algama Masud and A. K. Himanshu and Ratnesh Pandey and J. Lahiri and Nisith Das and Bijay K Singh and Kaustava Bhattacharyya and Ravi Kumar and A. K. Tyagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.00414},
year = {2019}
}
备注
4 figures, 2 table