理解 ZnO 中的 H 缺陷复合体
材料科学
2013-09-23 v1
摘要
利用采用杂化泛函的最先进密度泛函计算，我们表明 ZnO 中持久的 型导电性源于 H 与本征及外征缺陷之间形成的缺陷复合体。H 在与 ZnO 中的缺陷相互作用时表现出阳离子、阴离子及电中性特征。电中性的分子氢可以通过将深能级施主激活为浅能级施主，从而促进 ZnO 中的 型导电性。通过计算局域振动模频率，我们确定了许多与 H 相关的拉曼和红外频率的起源，从而证实了 H 的两性行为。
引用
@article{arxiv.1309.5217,
title = {Understanding H-defect complexes in ZnO},
author = {R. Vidya and P. Ravindran and H. Fjellvåg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.5217},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures, Regular article in journal