吸引浅施主：(Al,Ga,In) 掺杂 ZnO 中的氢钝化
材料科学
2015-06-04 v1
摘要
氢间隙原子以及替代位 Al_Zn、Ga_Zn 和 In_Zn 均为 ZnO 中的浅施主，并导致 n 型导电。尽管浅施主预期会相互排斥，我们通过第一性原理计算表明，在 ZnO 中这些浅施主杂质相互吸引并形成复合体，导致在带隙深处产生施主能级。这限制了存在氢时 (Al,Ga,In) 掺杂 ZnO 的 n 型导电性。
引用
@article{arxiv.1204.0364,
title = {Attracting shallow donors: Hydrogen passivation in (Al,Ga,In)-doped ZnO},
author = {Masahiko Matsubara and Mozhgan N. Amini and Rolando Saniz and Dirk Lamoen and Bart Partoens},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0364},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures