III-V 氮化物掺杂与缺陷理论
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
我们在基于最新第一性原理计算的基础上解决 GaN 和 AlGaN 合金中的掺杂问题。对于 n 型掺杂，我们发现氮空位能量过高，难以在生长过程中引入，但硅和氧 readily 形成赴掺杂剂。氧的性质，包括 DX 中心的形成，支持其作为意外 n 型导电性的主要原因。对于 p 型掺杂，我们发现 Mg 的溶解度是限制 GaN 中空穴浓度的主要因素。我们讨论了氢在接受掺杂中的积极作用。随着 Al_x Ga_(1-x)N 合金中 x 的增大，接受掺杂剂被氮空位所抵消的现象可能变得越来越严重。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9810385,
title = {Theory of Doping and Defects in III-V Nitrides},
author = {Chris G. van de Walle and Catherine Stampfl and Joerg Neugebauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9810385},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 2 figures. Other related publications can be found at http://www.rz-berlin.mpg.de/th/paper.html