缺陷与杂质在GaN掺杂中的作用
mtrl-th
2008-02-03 v1 材料科学
摘要
我们利用第一性原理总能量计算，计算了所有本征缺陷以及多种施主和受主杂质的生成能及缺陷能级位置。对数值结果的分析直接揭示了关于缺陷浓度与杂质溶解度随生长参数（温度、化学势）的变化关系，以及限制GaN中掺杂水平的机制。我们展示了本征缺陷或杂质的补偿与钝化、溶解度问题以及掺杂剂在其他晶位上的并入如何影响着受主掺杂水平。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9609006,
title = {Role of defects and impurities in doping of GaN},
author = {J. Neugebauer and C. G. Van de Walle},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9609006},
year = {2008}
}
备注
8 pages, 3 figures, to appear in "The Physics of Semiconductors"