单层 GaS 与 GaSe 中的本征缺陷：电学性质与热力学稳定性
材料科学
2023-04-27 v1 计算物理
摘要
本文通过精确的第一性原理计算研究了 GaS 和 GaSe 单层中本征缺陷的结构、电子以及热力学性质。基于其电荷转移能级，我们评估了所研究缺陷对单层电学性质的影响。具体而言，我们表明本征缺陷并不表现为浅掺杂剂，且其存在无法解释实验上观测到的本征掺杂。此外，我们预测本征缺陷是有效的补偿中心和复合中心。除了指出其有害性质外，我们还计算了相应的有限温度形成能，并给出了能够降低所有相关本征缺陷浓度的生长条件窗口。
引用
@article{arxiv.2110.10238,
title = {Native defects in monolayer GaS and GaSe: electrical properties and thermodynamic stability},
author = {Daniel Barragan-Yani and Jonathan M. Polfus and Ludger Wirtz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.10238},
year = {2023}
}
备注
14 pages, 8 figures