1T-TiSe2 中本征缺陷的掺杂性质

B. Hildebrand; C. Didiot; A. M. Novello; G. Monney; A. Scarfato; A. Ubaldini; H. Berger; D. R. Bowler; C. Renner; P. Aebi

doi:10.1103/PhysRevLett.112.197001

1T-TiSe2 中本征缺陷的掺杂性质

材料科学 2015-02-25 v2

作者: B. Hildebrand , C. Didiot , A. M. Novello , G. Monney , A. Scarfato , A. Ubaldini , H. Berger , D. R. Bowler , C. Renner , P. Aebi

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摘要

过渡金属二硫族化合物 1T-TiSe2 是一种准二维层状材料，其电荷密度波 (CDW) 转变温度为 TCDW 200 K。在不同温度下生长的晶体产生的自掺杂效应会引入结构缺陷，改变温度依赖性电阻率，并强烈扰动 CDW 相。在此，我们结合扫描隧道显微镜/谱学和从头算计算，研究了此类本征缺陷的结构和掺杂性质。我们在单晶中识别出的主要本征单原子掺杂剂是间隙 Ti 原子、Se 空位以及被残留碘和氧取代的 Se。

关键词

1t-tise2 本征缺陷电荷密度波自掺杂扫描隧道显微镜从头算计算过渡金属二硫族化合物

引用

@article{arxiv.1403.7339,
  title  = {Doping nature of native defects in 1T-TiSe2},
  author = {B. Hildebrand and C. Didiot and A. M. Novello and G. Monney and A. Scarfato and A. Ubaldini and H. Berger and D. R. Bowler and C. Renner and P. Aebi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1403.7339},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 3 figures

1T-TiSe2 中本征缺陷的掺杂性质

摘要

关键词

引用

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