(TaSe$_4$)$_2$I单手性晶体中的无序与漫散射

Jacob A. Christensen; Simon Bettler; Kejian Qu; Jeffrey Huang; Soyeun Kim; Yinchuan Lu; Chengxi Zhao; Jin Chen; Matthew J. Krogstad; Toby J. Woods; Fahad Mahmood; Pinshane Y. Huang; Peter Abbamonte; Daniel P. Shoemaker

doi:10.1103/PhysRevMaterials.8.034202

(TaSe$_4$)$_2$I单手性晶体中的无序与漫散射

强关联电子 2024-08-13 v5 材料科学

作者: Jacob A. Christensen , Simon Bettler , Kejian Qu , Jeffrey Huang , Soyeun Kim , Yinchuan Lu , Chengxi Zhao , Jin Chen , Matthew J. Krogstad , Toby J. Woods , Fahad Mahmood , Pinshane Y. Huang , Peter Abbamonte , Daniel P. Shoemaker

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

准一维手性化合物(TaSe $_4$ ) $_2$ I作为拓扑Weyl半金属的典型范例被广泛研究。当其跨越相变温度 $T_\textrm{CDW}$ $\approx$ 263 K时，(TaSe $_4$ ) $_2$ I呈现由明确传播矢量 $\sim$ (0.05, 0.05, 0.11)描述的非公度电荷密度波（CDW）调制，该矢量相对于TaSe $_4$ 链倾斜。尽管光学与输运性质极大依赖于手性，目前尚无关于(TaSe $_4$ ) $_2$ I手性畴尺寸的系统性报道。本研究中，我们的单晶散射精修揭示了体相碘缺失，对多块晶体的Flack参数测量表明独立的(TaSe $_4$ ) $_2$ I晶体具有均匀手性，并获直接成像与螺旋度依赖太赫兹发射谱支持。我们的单晶X射线散射与计算衍射图样辨识出多重漫散射特征，并构建了温度依赖的(TaSe $_4$ ) $_2$ I晶体结构实空间图像。短程漫散射特征在室温下即存在，并随CDW调制发展而强度降低。这些横向位移，连同碘缺失导致的电子钉扎，有助于解释为何(TaSe $_4$ ) $_2$ I在 $T_\textrm{CDW}$ 上下均表现为电子半导体，尽管由理想结构密度泛函理论算得的能带为金属性。

关键词

电荷密度波 Weyl半金属单晶X射线散射无序漫散射手性 (TaSe$_4$)$_2$I

引用

@article{arxiv.2309.10236,
  title  = {Disorder and diffuse scattering in single-chirality (TaSe$_4$)$_2$I crystals},
  author = {Jacob A. Christensen and Simon Bettler and Kejian Qu and Jeffrey Huang and Soyeun Kim and Yinchuan Lu and Chengxi Zhao and Jin Chen and Matthew J. Krogstad and Toby J. Woods and Fahad Mahmood and Pinshane Y. Huang and Peter Abbamonte and Daniel P. Shoemaker},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2309.10236},
  year   = {2024}
}

备注

25 pages, 20 figures, 5 tables

(TaSe$_4$)$_2$I单手性晶体中的无序与漫散射

摘要

关键词

引用

备注

相关论文