电荷密度波材料 (TaSe4)2I 中表面电荷诱导的狄拉克能带劈裂
强关联电子
2021-03-31 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
(TaSe4)2I 是一种准一维（1D）晶体，表现出特征性的温度驱动金属-绝缘体相变。在电荷密度波（CDW）温度 Tc 以上，(TaSe4)2I 被预测具有外尔半金属相。在 Tc 以下，它成为轴子绝缘体。在此，我们对 (TaSe4)2I 的 (110) 表面进行了角分辨光电子能谱（ARPES）测量，并在第一布里渊区内观察到两组类狄拉克能带，这与我们的第一性原理计算吻合良好。此外，我们发现每条狄拉克能带在特定情况下表现出数百 meV 的能量劈裂。结合核心能级测量，我们的理论分析表明该狄拉克能带劈裂是由于表面碘原子丢失引起的表面电荷极化的结果。我们的发现为 Peierls 化合物中能带拓扑与 CDW 序之间的相互作用提供了新见解，并将激励更多关于强关联准一维材料拓扑性质的研究。
引用
@article{arxiv.2012.02402,
title = {Surface Charge Induced Dirac Band Splitting in a Charge Density Wave Material (TaSe4)2I},
author = {Hemian Yi and Zengle Huang and Wujun Shi and Lujin Min and Rui Wu and C. M. Polley and Ruoxi Zhang and Yi-Fan Zhao and Ling-Jie Zhou and J. Adell and Xin Gui and Weiwei Xie and Moses H. W. Chan and Zhiqiang Mao and Zhijun Wang and Weida Wu and Cui-Zu Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.02402},
year = {2021}
}
备注
18 pages, 4 figures. Comments are welcome