类Ⅰ型Dirac 半导体 1T-PdSeTe 中的电子态
超导电性
2024-12-30 v2 材料科学
摘要
我们研究了类型Ⅱ Dirac 半导体 1T-PdSeTe 的表面和体电子结构。其超导临界温度 K 几乎是 1T-PdTe 中 K 的两倍。扫描电子显微镜测量显示，硒和 汞 在硫化层中均匀混合，符合 CdI 型晶体结构。角度解析光子能谱测量和密度泛函理论计算表明，存在拓扑表面态，整体能带结构类似于 1T-PdTe。这些结果表明，CdI 型晶格对能带色散起主导作用，尽管硫化层中存在原子无序。由于电子能带色散和局部结构在取代过程中保持不变，Tc 的提升可能与化学压力有关。我们的研究为理解固溶体对表面和体电子态以及超导临界温度的影响提供了见解。
引用
@article{arxiv.2408.15500,
title = {Electronic states in superconducting type-II Dirac semimetal: 1T-PdSeTe},
author = {Yogendra Kumar and Shiv Kumar and Venkateswara Yenugonda and Ryohei Oishi and Jayita Nayak and Chaoyu Chen and Ravi Prakash Singh and Takahiro Onimaru and Yasuyuki Shimura and Shinichiro Ideta and Kenya Shimada},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.15500},
year = {2024}
}
备注
Quantum materials, Dirac semimetal, Weyl semimetal, Topological insulator, Topological superconductor, angle-resolved Photoemission spectroscopy, superconductivity