拓扑半金属 SrAl4 与 EuAl4 中电荷密度波的起源
材料科学
2024-04-02 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
BaAl4 型结构中的拓扑半金属表现出许多有趣行为，例如 SrAl4 和 EuAl4 中的电荷密度波（CDW），但在同结构同价的 BaAl4、SrGa4 和 BaGa4 中却没有。此处基于密度泛函理论的 Wannier 函数，我们计算了百万级 k 点的磁化率函数以抵达小 q 矢量，并研究 CDW 背后的起源与驱动力。我们的比较研究揭示，SrAl4 和 EuAl4 中 CDW 的起源，除了来自类狄拉克能带嵌套费米面的磁化率函数实部极大值外，还有沿 \{Gamma}-Z 方向小 q 矢量处横向声学模的强电子-声子耦合相互作用，这很好地解释了其他密切相关化合物中 CDW 的缺失，与实验吻合良好。我们还将 Al 化合物中不同的 CDW 行为关联到宏观弹性性质。
引用
@article{arxiv.2306.15068,
title = {Origin of Charge Density Wave in Topological Semimetals SrAl4 and EuAl4},
author = {Lin-Lin Wang and Niraj K. Nepal and Paul C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.15068},
year = {2024}
}
备注
30 pages, 8 figures, 1 table