零隙半导体中的电子不稳定性：(TaSe4)2I 中的电荷密度波
强关联电子
2013-06-21 v1
摘要
我们报道了利用角分辨光电子能谱（ARPES）和第一性原理电子结构计算对典型准一维化合物 (TaSe4)2I 进行的综合研究。我们发现其在未畸变结构中为零隙半导体，且具有不可忽略的链间耦合。理论与实验均支持在 T_CDW = 263 K 以下形成 CDW 的 Peierls 类机制，其中非公度性是有限链间耦合的直接结果。ARPES 数据强烈暗示的小极化子的形成，解释了在 T_CDW 处输运测量中观察到的令人费解的半导体-半导体转变。
引用
@article{arxiv.1303.5551,
title = {Electronic Instability in a Zero-Gap Semiconductor: the Charge-Density Wave in (TaSe4)2I},
author = {C. Tournier-Colletta and L. Moreschini and G. Autès and S. Moser and A. Crepaldi and H. Berger and A. L. Walter and K. S. Kim and A. Bostwick and P. Monceau and E. Rotenberg and O. V. Yazyev and M. Grioni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.5551},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures