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II型外尔半金属 TaIrTe$_4$ 的光电导率

材料科学 2020-07-15 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

TaIrTe4_4 是一个具有最少可能外尔节点数的候选 II 型外尔半金属的例子。据报道,四个节点存在于 kk 空间中的单一平面内。与外尔节点相关的锥形色散的实验证实尚待展示。此处我们使用光谱学作为低能标下能带结构的探针。研究光电导率使我们能够探测零动量下的带内与带间跃迁。在 TaIrTe4_4 中,我们观察到窄的德鲁德贡献以及可能与高达 40~meV 的倾斜线性能带色散一致的带间电导率。带间电导率使我们能够确定锥形色散的有效参数:有效速度 v=1.1104v=1.1\cdot 10^{4}~m/s 与倾斜 γ=0.37\gamma=0.37。输运数据、塞贝克系数与霍尔系数在定性上与能带结构中的锥形特征一致。定量上的不符可能与 TaIrTe4_4 的多带性质有关。

关键词

引用

@article{arxiv.2004.00147,
  title  = {Optical conductivity of the type-II Weyl semimetal TaIrTe$_4$},
  author = {F. Le Mardelé and D. Santos-Cottin and E. Martino and K. Semeniuk and S. Ben David and F. Orbanic and M. Novak and Z. Rukelj and C. C. Homes and Ana Akrap},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2004.00147},
  year   = {2020}
}