基于第一性原理计算的 ZrTe$_5$ 四带模型的光学电导率与电阻率
介观与纳米尺度物理
2020-10-26 v2
摘要
ZrTe 被认为是邻近拓扑相变的 Dirac 半金属或拓扑绝缘体的潜在候选者。近期的光学电导率结果催生了一个具有二维锥形色散的两带模型，这与密度泛函理论计算相矛盾。在此，我们通过使用 理论推导 ZrTe 的四带模型，并将其参数拟合至第一性原理能带结构，从而调和二者。经调整电子结构后的光学电导率与实验数据的关键特征相符。化学势随温度强烈变化，以至于在零温与室温之间可能完全跨越能隙。温度依赖的电阻率呈现一个宽峰，并从理论上证实了近期实验的结论，即将电阻率峰的起源归因于化学势随温度的巨大偏移。
引用
@article{arxiv.2007.15292,
title = {Optical conductivity and resistivity in a four-band model for ZrTe$_5$ from ab-initio calculations},
author = {Corentin Morice and Elias Lettl and Thilo Kopp and Arno P. Kampf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15292},
year = {2020}
}