有限温度下Hubbard模型的光学电导率

使用有限团簇上的精确对角化技术，计算了有限温度下二维单带Hubbard模型的光学电导率$\sigma(\omega)$。还评估了面内直流电阻率$\rho_{ab}$。我们发现，在大的U/t和温度T下，$\rho_{ab}$近似随温度线性变化，与高温超导体的实验合理一致。此外，我们注意到$\sigma(\omega)$显示出电荷激发、中红外（MIR）带和Drude峰，这也与实验观测一致。Drude峰和MIR振荡器强度的结合导致在半填充附近的绝缘体间隙以下的能量范围内，电导率衰减慢于$1/\omega^2$。