MgB₂多带光学性质的体现
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
通过结合椭偏光谱和正入射反射率测量，在6 meV至4.6 eV的光谱范围内确定了致密多晶MgB₂样品的光学电导率。σ₁(ω)具有一个等离子体频率异常小（1.4 eV）的窄Drude峰和一个非常宽的“穹顶”结构，该结构包含了低能谱权重的主体。这一事实可以通过假设来自二维σ带和三维π带的载流子具有本质上不同的杂质散射率且带间散射可忽略，与能带结构计算结果相协调。这也解释了缺陷浓度与Tc之间预期对于双能隙超导体而言异常小的相关性。大的三维载流子散射率表明它们接近局域化极限。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107092,
title = {Manifestation of multiband optical properties of MgB$_2$},
author = {A. B. Kuz'menko and F. P. Mena and H. J. A. Molegraaf and D. van der Marel and B. Gorshunov and M. Dressel and I. I. Mazin and J. Kortus and O. V. Dolgov and T. Muranaka and J. Akimitsu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107092},
year = {2009}
}
备注
RevTeX, 4 pages, 5 figures