$MgB_2$光谱实验中带间散射的特征

C. P. Moca; B. Janko

$MgB_2$光谱实验中带间散射的特征

超导电性 2007-05-23 v1

作者: C. P. Moca , B. Janko

摘要

在双带强耦合模型内，我们分析了在 $MgB_2$ 样品上测量的SIS隧穿电导、Raman散射和光电导率。我们发现，当考虑 $\sigma$ 带和 $\pi$ 带之间的非相干散射时，可以一致地解释在中间能量 $\omega=\Delta_{\sigma}+\Delta_{\pi}\simeq 8\div 10meV$ 处观察到的隧穿和Raman光谱特征。我们计算了光电导率，发现强耦合效应对于解释现有数据非常重要，并预测了这种光谱探针的带间散射特征的位置和幅度。

关键词

带间散射 $MgB_2$ 光谱实验双带模型强耦合 SIS隧穿光电导率

引用

@article{arxiv.cond-mat/0210445,
  title  = {Signatures of interband scattering in spectroscopic experiments on $MgB_2$},
  author = {C. P. Moca and B. Janko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210445},
  year   = {2007}
}

备注

5 pages, 3 figures

$MgB_2$光谱实验中带间散射的特征

摘要

关键词

引用

备注

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