超导 MgB2 中的强耦合与双能隙态密度
超导电性
2009-11-07 v2 强关联电子
摘要
利用 T = 4.2 K 下的扫描隧道谱学，我们在颗粒状 MgB2 中同时进行了形貌成像和准粒子态密度（DOS）测绘。我们观察到一种新类型的谱，显示出显著的双能隙，其大小分别为 meV 和 meV，即分别远低于和远高于 BCS 极限。最大能隙值给出比值 ，这意味着存在强电声子耦合。发现其他超导区域具有典型的 BCS 形状 DOS。然而，谱形和较小能隙宽度从 2.0 meV 到 6.5 meV 的变化，表明表面不均匀性和邻近效应在已发表的隧道数据中具有重要性。我们的发现没有提供任何重要能隙各向异性的证据。相反，它有力地支持了 MgB2 在净极限下的多能隙图景，以及脏极限下的单能隙图景。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105146,
title = {Strong Coupling and Double Gap Density of States in Superconducting MgB2},
author = {F. Giubileo and D. Roditchev and W. Sacks and R. Lamy and J. Klein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105146},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures. 1 figure added, text revised