MoS$_2$ 中栅极诱导超导的隧穿谱研究
超导电性
2018-06-11 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
通过静电电荷积累栅极诱导超导的能力是物理学与纳米电子学近期的一项突破。除 LaAlO/SrTiO 界面外，关于栅极诱导超导体的实验大多局限于电阻测量，其提供的关于超导态的信息非常有限。在此，我们通过执行隧穿谱来探测 MoS 中的栅极诱导超导，以确定不同电子密度 水平下的能量依赖态密度（DOS）。在超导态中，DOS 在小于能隙 的能量处被强烈抑制，该能隙在 约为 10 cm 时最大（ ~ 2 meV），并随 增大而单调减小。垂直磁场 在 处产生填充能隙的态，但出乎意料的是，20% 超导起源的 DOS 抑制在远高于输运临界场时仍持续存在。相反，高达 10 T 的面内场使 DOS 完全不变。我们的测量排除了 MoS 中的超导态为完全带隙的可能性，并揭示出随能量线性趋于零的 DOS 的存在，对此的解释需要超越传统的、纯声子驱动的 Bardeen-Cooper-Schrieffer 机制。
引用
@article{arxiv.1806.03222,
title = {Tunneling spectroscopy of gate-induced superconductivity in MoS$_2$},
author = {Davide Costanzo and Haijing Zhang and Bojja Aditya Reddy and Helmuth Berger and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.03222},
year = {2018}
}