一维莫特绝缘体中自旋子-近藤效应的隧穿谱
强关联电子
2026-01-06 v2
摘要
我们研究了能量低于电荷能隙的一维莫特绝缘体中的隧穿态密度（TDOS）。通过运用非线性 Luttinger 液体理论和密度矩阵重整化群（DMRG）模拟，我们预测在边界存在磁性杂质的情况下，边界附近的 TDOS 在亚能隙能量处会出现特征性的费米边奇异特征。与金属中的近藤效应相比，这些共振是高度不对称的，并呈幂律形式。幂律指数是普适的，由自旋子-近藤效应决定。
引用
@article{arxiv.2508.19084,
title = {Tunneling spectroscopy of the spinon-Kondo effect in one-dimensional Mott insulators},
author = {Rodrigo G. Pereira and Bruno F. Marquez and Karen Hallberg and Tim Bauer and Reinhold Egger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.19084},
year = {2026}
}
备注
9 pages, 5 figures