一维Mott-Hubbard绝缘体输运中的自旋-电荷分离与近藤效应

V. V. Ponomarenko

一维Mott-Hubbard绝缘体输运中的自旋-电荷分离与近藤效应

介观与纳米尺度物理 2011-05-20 v1

作者: V. V. Ponomarenko

摘要

我们研究了有限长度 $L$ 的一维Mott-Hubbard绝缘体中的低能自旋和电荷输运，该绝缘体连接到由具有相反自旋极化的电子不同化学势所表征的费米液体库，这种情况发生在量子自旋霍尔绝缘体中。我们计算了平均电流（电荷和自旋）及其关联函数，并展示了由库诱导的向低能费米液体区域的转变如何导致自旋-电荷分离的破坏，这在存在自旋相关电压和系统中弱单电子散射的情况下是可见的。这些计算是在假设Hubbard能隙2M足够大： $M > T_L \equiv v_c/L$ （ $v_c$ ：导线中的电荷速度）且散射率 $\Gamma_s \ll T_L$ 的条件下进行的。还阐明了这些结果与图卢兹极限下近藤点输运的关系。

关键词

Mott-Hubbard绝缘体自旋-电荷分离近藤效应量子自旋霍尔绝缘体费米液体库电荷输运自旋输运

引用

@article{arxiv.1105.3863,
  title  = {Spin-charge separation and Kondo effect in transport through a 1D Mott-Hubbard insulator},
  author = {V. V. Ponomarenko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1105.3863},
  year   = {2011}
}

备注

5 two-column pages, no figures

一维Mott-Hubbard绝缘体输运中的自旋-电荷分离与近藤效应

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