1D Mott-Hubbard 和自旋间隙绝缘体中的杂质锁定输运
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
我们考察了由费米液体储备器件诱导的低能级交叉 (见 cond-mat/9711167)，其在长度为 的 1D Mott-Hubbard 绝缘体输运中存在杂质锁定。假设 Hubbard 间隙 2M 足够大：（ 为线内电荷速度）且杂质散射速率 ，则电导随电压/温度显示零能共振。也描述了利用此体系散射电流与 Mott-Hubbard 绝缘体直流电流之间的二门性，研究自旋间隙 1D 系统的输运。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909410,
title = {Impurity pinning in transport through 1D Mott-Hubbard and spin gap insulators},
author = {Vadim Ponomarenko and Naoto Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909410},
year = {2009}
}
备注
5 twocolumn pages in RevTex, no figures