安德森-莫特转变附近的电子输运理论
强关联电子
2010-10-26 v2
摘要
我们提出了在共存电子关联和无序性影响下，安德森-莫特转变附近绝缘体中直流电子输运的理论。在足够低的温度下，安德森-莫特绝缘体中的直流电子输运由费米能级附近的单粒子态密度决定。由无序性引起的安德森绝缘体的特征是在费米能级处具有非零的态密度。然而，作者最近提出，绝缘体中共存的无序性和短程相互作用在态密度中打开了一个软哈伯德能隙，并且态密度仅在费米能级处消失。基于软哈伯德能隙的图像，我们推导了直流电阻率温度依赖性的临界行为公式。将本理论与有机导体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Br静电载流子掺杂的实验结果进行比较，证明了本软哈伯德标度行为的证据。
引用
@article{arxiv.1008.3754,
title = {Theory of Electron Transport near Anderson-Mott Transitions},
author = {Hiroshi Shinaoka and Masatoshi Imada},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3754},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures, 1 table