微掺杂下具有关联跳跃的莫特绝缘体的热电性质
强关联电子
2020-03-05 v1
摘要
讨论了由关联跳跃引起的巡游电子局域化对Falicov-Kimball模型轻掺杂莫特绝缘体相中电子电荷和热输运的影响。考虑了在占据f电子能级的格点之间跳跃幅度强烈减小的情况，此时在莫特间隙的态密度上可能出现额外的局域d电子态能带。由于电子-空穴不对称性以及由关联跳跃引起的态密度和输运函数的异常特征，在低温下观察到塞贝克系数的强烈增强，此时在宽温度范围内显示出平坦的依赖性。
引用
@article{arxiv.2003.02076,
title = {Thermoelectric properties of Mott insulator with correlated hopping at microdoping},
author = {D. A. Dobushovskyi and A. M. Shvaika},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.02076},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 11 figures