轻掺杂 Mott 绝缘体中空穴的自局化
强关联电子
2007-05-23 v2 超导电性
摘要
我们表明，轻度掺杂的空穴在低温下会在反磁性自旋背景中自我局域，从而导致平移对称性的自发破坏。其背后的 Mott 物理负责此类 novel 空穴自局化。发现了有趣的输运和介电特性，包括较大的掺杂相关的热电功率和介电常数、低温可变程率隧穿电阻率，以及高温类金属样电阻率，这些都与高-T 超导体中的实验测量相一致。无序和杂质在这里只起次要和辅助作用。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402327,
title = {Self-localization of holes in a lightly doped Mott insulator},
author = {Su-Peng Kou and Z. Y. Weng},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402327},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 4 figures; additional experimental data are included in Fig. 3 and some comments are added in the text