轻空穴掺杂铜氧化物中的电荷涨落：顶点修正的效应
超导电性
2019-01-31 v2
摘要
确定对 Mott 绝缘体掺杂时出现的电子态，对于理解铜氧化物高温超导体的物理至关重要。近期铜氧化物的扫描隧道显微镜提供了证据：在掺杂母体化合物时，电荷有序态在超导态之前出现。我们通过计算 Hubbard 模型的电荷响应函数研究此现象，其中包含了满足压缩率求和定则的频率依赖局域顶点修正。我们发现，从过掺杂侧接近 Mott 相时，连接热点的波矢处的电荷涨落比其他波矢处受到远为快速的抑制。这导致修饰后的电荷磁化率具有与裸磁化率或随机相位近似所得磁化率都极为不同的动量依赖性。我们还发现，有限温度下的顺磁轻空穴掺杂 Mott 相仅在零波矢处对电荷有序不稳定，证实了先前由压缩率获得的结果。电荷序由频率依赖的散射过程驱动，这些过程在强相互作用和小掺杂下诱导出吸引的粒子-空穴相互作用。
引用
@article{arxiv.1807.03855,
title = {Charge-fluctuations in lightly hole-doped cuprates: effect of vertex corrections},
author = {R. Nourafkan and M. Côté and A. - M. S. Tremblay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.03855},
year = {2019}
}
备注
LaTex, 13 pages, 7 figures