掺杂 Mott 绝缘体中电荷不稳定性的强粒子 - 空穴不对称性
超导电性
2014-12-04 v2 强关联电子
摘要
我们通过采用具有正次近邻跳跃积分 t' 的二维 t-J 模型（适用于电子掺杂铜氧化物）在正方晶格上研究了掺杂 Mott 绝缘体中可能的电荷不稳定性。虽然对于对应于空穴掺杂铜氧化物的负 t'，d 波电荷密度波（通量相）和 d 波 Pomeranchuk 不稳定性（向列序）是主导的不稳定性，但我们发现这些不稳定性受到强烈抑制，仅在非常接近半填充时才变得相关。相反，在中等掺杂区域，各种具有接近 (pi,pi) 调制矢量的键序占主导地位。相分离也得到了增强，但可以通过近邻库仑排斥 substantially 抑制，而不影响上述电荷不稳定性。
引用
@article{arxiv.1401.6586,
title = {Strong particle-hole asymmetry of charge instabilities in doped Mott insulators},
author = {Matias Bejas and Andres Greco and Hiroyuki Yamase},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6586},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 7 figures