电子掺杂铜氧化物中的$d$波键序电荷激发

我们研究正方形晶格上二维$t$-$J$模型中的电荷激发谱，以探索最近在载流子密度约0.15的电子掺杂铜氧化物中发现的电荷序趋势。对应于动量转移${ \bf q}=(0,0)$处向列磁化率的$d$波电荷密度的静态磁化率，在${ \bf q}_{1}=(q',q')$和${ \bf q}_{2}=(q,0)$形式的动量处显示出两个特征峰。这两个峰源于所谓的$2k_{F}$散射过程，该过程被键电荷密度的$d$波特性所增强。${ \bf q}_{1}$处的峰更宽，但在其不稳定性附近变得非常尖锐；而${ \bf q}_{2}$处的峰随温度降低变得更尖锐，但不发散。由共振X射线散射测量的等时关联函数表现出与静态磁化率相似的动量依赖性。我们还给出了能量分辨的电荷激发谱。由于${ \bf q}_{1}$和${ \bf q}_{2}$处的电荷序趋势，这些谱在${ \bf q}=(0,0)$附近呈现V形结构，并弯回接近零能量。所得谱形成类能隙特征，在${ \bf q} \approx { \bf q}_{1}/2$和${ \bf q}_{2}/2$处具有最大能隙。我们讨论了其对电子掺杂铜氧化物中近期实验的启示。