电子掺杂铜氧化物中 d 波键电荷激发的掺杂依赖性
超导电性
2019-01-31 v3
摘要
受近期报道电子掺杂铜氧化物中短程电荷有序（CO）掺杂依赖性的实验启发，我们研究了二维 t-J 模型中 d 波键电荷涨落产生的共振 X 射线散射谱。我们发现：（i）CO 是短程的；（ii）CO 峰在低温下显著；（iii）峰强度随载流子掺杂 减小而增加，直至 0.10，而在 0.10 以下因强阻尼被显著抑制；（iv）CO 的动量单调减小至 0.10，并在 0.10 以下回升。这些结果合理地捕捉了实验数据的主要特征，且观测到的短程 CO 可用具有内部 d 波对称性的键电荷涨落一致地解释。
引用
@article{arxiv.1808.03618,
title = {Doping dependence of d-wave bond-charge excitations in electron-doped cuprates},
author = {Hiroyuki Yamase and Matías Bejas and Andrés Greco},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.03618},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 6 figures; some sections rewritten, appendix added, author name corrected; minor changes