掺杂 Mott 绝缘体中的磁非公度性
强关联电子
2009-10-31 v1 超导电性
摘要
本文探讨了自旋-自旋关联的非公度空间调制作为由 模型描述的掺杂 Mott 绝缘体的内禀性质。我们证明，这种非公度性是掺杂空穴在二维和一维情形下引入的相位弦效应的直接体现。动量空间中动力学自旋磁化率的磁非公度峰，在位置和掺杂依赖性上均与铜酸盐超导体的中子散射测量结果一致。特别地，这种非公度结构能够自然地调和铜酸盐的中子散射与 NMR 实验。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9809363,
title = {Magnetic Incommensurability in Doped Mott Insulator},
author = {Z. Y. Weng and D. N. Sheng and C. S. Ting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9809363},
year = {2009}
}
备注
12 pages (RevTex), five postscript figures