掺杂Mott绝缘体中的高阶形式对称性与$d波$超导体
强关联电子
2019-09-04 v1 超导电性
高能物理 - 理论
摘要
通往高温铜氧化物超导体的一条路径是掺杂Mott绝缘体。在本文中，我们从高阶形式对称性的视角研究该系统。引入 slave bosons 后，有限空穴掺杂下的模型可写为规范理论的形式。经过对偶变换后，它们可写为广义理论，其中高阶形式对称性更为明显。我们辨识了在和超导相中涌现的连续与离散高阶形式对称性，这些相预期可由掺杂Mott绝缘体实现。通过检验是否存在自发破缺的离散一形式对称性来测试拓扑序的存在。我们断言，离散一形式对称性的自发破缺可能扩展到一个在味 large number 极限下具有无质量Dirac费米子的相。我们讨论了高温铜氧化物超导穹顶内发生拓扑相变的可能性。
引用
@article{arxiv.1905.04617,
title = {Higher-form symmetries and $d-wave$ superconductors from doped Mott insulators},
author = {Ki-Seok Kim and Yuji Hirono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.04617},
year = {2019}
}