低温下轻掺杂 Mott 绝缘体中显著增强的热输运
强关联电子
2015-06-11 v1
摘要
我们展示了轻掺杂 Mott 绝缘体在低温下如何具有巨大的电子热输运增强。当载流子可被视为非简并费米子时，它表现出与相互作用强度无关的普适行为；而在非普适的“交叉”区域，Lorenz 数增长到大数值，同时仍保持较大的热电优值。电子动力学由 Falicov-Kimball 模型描述，该模型在 Bethe 晶格上通过动力学平均场理论算法求解，适用于任意大的在位关联。我们表明，只要重整化的费米液体标度被推至极低温度且系统未发生磁有序，这些结果对于轻掺杂 Mott 绝缘体是通用的。
引用
@article{arxiv.1210.5977,
title = {Strongly enhanced thermal transport in a lightly doped Mott insulator at low temperature},
author = {V. Zlatić and J. K. Freericks},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.5977},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures