通过基于掺杂剂的量子点一维链的电子输运

强相互作用电子系统可以为了解量子多体现象(如莫特绝缘行为和自旋液体)提供见解,从而促进半导体的优化。费米-哈伯德模型是用于研究此类系统的典型模型。然而,最近的研究表明,考虑了长程相互作用的扩展费米-哈伯德模型更为准确,特别是对于远离半填充的系统。在本研究中,我们使用扩展费米-哈伯德模型对通过量子点晶格的电荷输运进行数学分析。观察了具有无自旋电子和源漏偏置的一维链,重点关注基态和第一激发态之间的跃迁。当向链上的跳跃趋于链内的跳跃时,能级排斥降低了反交叉的预期能级。链上电荷密度的分布以跳跃、核和库仑参数为特征进行了表征,并分析了新颖的等离激元行为。识别出了电子输运中的微小扰动,这与所观察察系统的一维特性相对应。这项研究将有助于更好地理解硅掺杂半导体中的电子行为,如相关诱导带隙的形成,并为使用扩展费米-哈伯德模型作为研究量子多体系统的更准确替代方案打开大门。